大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

華科智源大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，可用于多種封裝形式的IGBT的測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊、大功率IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的VI特性測(cè)試，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

產(chǎn)品型號(hào)：HUSTEC-1200A-MT
廠商性質(zhì)：代理商
更新時(shí)間：2024-12-02
訪問(wèn) 量：2064

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詳細(xì)介紹

品牌	其他品牌	價(jià)格區(qū)間	面議
應(yīng)用領(lǐng)域	能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,汽車及零部件,電氣	測(cè)量類型	多種IGBT、MOS管
脈沖電流	1200A	電壓	5KV
脈沖寬度	50uS~300uS	Vce測(cè)量精度	2mV
Vce測(cè)量范圍	>10V

大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀

產(chǎn)品介紹

深圳市華科智源科技有限公司是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開(kāi)放之都-中國(guó)深圳，業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT檢測(cè)儀，MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀，MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀，在線式檢修用IGBT測(cè)試儀，變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀，IGBT模塊測(cè)試儀，軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀，風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀。HUSTEC-1200A-MT電參數(shù)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試，還可以測(cè)量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管等器件的V-I 特性測(cè)試， 大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的 IGBT來(lái)料選型和失效分析。測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。

主要特點(diǎn)

A：測(cè)量多種IGBT、MOS管

B：最大脈沖電流1200A，電壓5KV，大功率測(cè)試

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測(cè)量精度2mV

E：Vce測(cè)量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護(hù)被測(cè)量器件

H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能

I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

測(cè)試項(xiàng)目
A：ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
B：IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流
C：BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
D：VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
E：VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
F：ICON 通態(tài)電極電流
G：VGEON 通態(tài)柵極電壓
H：VF 二極管正向?qū)▔航?/span>

Vce-Ic特征曲線